发明名称 |
采用热交换法生长半球型晶体的装置及方法 |
摘要 |
一种采用热交换法生长半球型晶体的装置,其特征是,在半球形的坩埚外的底部接触连接电热交换器,在管状的热交换器内设置有输送气体的输气管。使用上述装置生长半球型晶体的方法,它主要包括下列步骤:(1)电阻加热器升温,使坩埚内原料熔化,同时在热交换器内通入氦气冷却籽晶;(2)通过控制加热器的功率和热交换器内氦气的流量,使坩埚内的原料能充分熔化成熔体,而籽晶不被熔化;(3)熔体的温度梯度由石墨加热器控制,晶体温度梯度由热交换器控制;增加热交换器的气体流量,降低籽晶的温度,晶体生长的固液界面以近球面的弧面向外扩展;(4)晶体生长完成后,晶体降温至室温,完成半球型晶体生长。 |
申请公布号 |
CN101182646A |
申请公布日期 |
2008.05.21 |
申请号 |
CN200610114518.3 |
申请日期 |
2006.11.13 |
申请人 |
北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
发明人 |
苏小平;杨海;黎建明;李楠;那木;杨鹏;李金泉 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01);C30B29/60(2006.01) |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01) |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 |
代理人 |
胡福恒 |
主权项 |
1.一种采用热交换法生长半球型晶体的装置及方法,它主要包括有一个筒形的石墨电加热器,在筒形的石墨电加热器的中部放置有一个半球形的坩埚,在筒形的石墨电阻加热器外部四周设置有保温层,其特征在于:坩埚的底部中央与一个管状的热交换器接触,热交换器内置有通向热交换器顶部输送气体的输气管。 |
地址 |
100088北京市新街口外大街2号 |