一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。先在外延片的P型GaN层上依次逐层沉积反射层、P电极和绝缘层；在绝缘层和散热层上分别沉积键合金属材料；对准后进行键合；倒装后减薄衬底，再用激光聚焦在外延片的衬底与GaN缓冲层交界面进行衬底剥离；刻蚀GaN缓冲层直到N型GaN裸露并将裸露的N型GaN层图形化，使其上表面为三维凸起阵列；在图形化的N型GaN层上沉积一层ITO作为透明电极并在该结构的四角刻蚀出4个沟槽结构，刻蚀沟槽从顶端N型GaN层刻蚀到P型电极层裸露；在ITO上刻蚀出电极孔并沉积金属制作N电极焊点。本发明能提高出光效率和芯片性能，又能减化工艺过程，可增加单芯片面积和发光面积，提高其出光功率。

主权项

1.一种LED芯片，其特征在于：它自下而上依次包括散热层、键合金属层、绝缘层、P型电极、反射层、P型GaN层、N型GaN层和N型电极；其中N型电极由ITO透明电极和N电极焊点构成，在芯片四角设置有四条P电极沟槽，P电极沟槽由芯片顶层的N型电极区贯穿到芯片的P型区；N型GaN层的上表面为三维凸起阵列。