发明名称 高磁导率、低THD软磁铁氧体磁性材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种软磁铁氧体磁性材料及其制备方法,该软磁铁氧体磁性材料由主成分和辅助成分制成;其中所述的主成分及重量百分比以氧化物计算为:Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为62~75wt%;Mn<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>为13~20wt%;其余为ZnO;辅助成分及其含量为:CaO:50~300ppm,Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:100~800ppm,Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>:100~600ppm,MoO<SUB>3</SUB>:50~400ppm中的一种或多种组合。本发明的软磁铁氧体磁性材料既具有高磁导率又具有低THD特性。
申请公布号 CN101183586A 申请公布日期 2008.05.21
申请号 CN200710156012.3 申请日期 2007.10.08
申请人 横店集团东磁股份有限公司 发明人 王栩;包大新;王朝明;杨正忠
分类号 H01F1/36(2006.01);C04B35/26(2006.01);C04B35/64(2006.01) 主分类号 H01F1/36(2006.01)
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 尉伟敏
主权项 1.一种高磁导率、低THD软磁铁氧体磁性材料,该软磁铁氧体磁性材料由主成分和辅助成分制成;其中所述的主成分及重量百分比以氧化物计算为:Fe2O3为62~75wt%;Mn3O4为13~20wt%;其余为ZnO;辅助成分及其含量为:CaO:50~300ppm,Bi2O3:100~800ppm,Nb2O5:100~600ppm,MoO3:50~400ppm中的一种或多种组合。
地址 322118浙江省东阳市横店工业区东磁股份有限公司