| 发明名称 | 一种二硼化镁超导材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种二硼化镁(MgB<SUB>2</SUB>)超导材料及其制备方法，涉及一种具有高临界电流密度的新型二硼化镁超导材料及其制备方法。其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自WSi<SUB>2</SUB>、ZrB<SUB>2</SUB>、或ZrSi<SUB>2</SUB>中的一种金属化合物X，其组成的摩尔比Mg∶X∶B＝(0.8-0.95)∶(0.05-0.2)∶2。本发明的制备方法是将Mg粉、X粉和B材料按摩尔比混合均匀，在常压氩气气氛中进行烧结。本发明的二硼化镁超导材料在4.2K以上的温度，具有高临界电流密度，而且磁场下的性能也非常优良。 | ||
| 申请公布号 | CN100389064C | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200410048208.7 | 申请日期 | 2004.06.15 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 马衍伟 |
| 分类号 | C01B35/04(2006.01);C04B35/58(2006.01) | 主分类号 | C01B35/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关玲;刘秀娟 |
| 主权项 | 1.一种二硼化镁超导材料，其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自WSi2、ZrB2、或ZrSi2中的一种金属化合物X，其组成的摩尔比Mg∶X∶B＝(0.8-0.95)∶(0.05-0.2)∶2。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 | ||