发明名称 | 具有较小主动与接触区域之电阻式随机存取记忆体之制造方法 | ||
摘要 | 一种用以制造一记忆元件之方法,此记忆元件包括图案化一介电层与一导电层以在接近一第一接触汲极栓塞之上表面的中心处与接近一第二接触汲极栓塞之上表面之中心处排列。一第一电极系形成于此图案化介电层与导电层之右侧壁。一侧壁绝缘构件包括有一第一侧壁表面与一第二侧壁表面,其中此侧壁绝缘构件之第一侧壁表面系接触至第一电极之一侧壁。一第二电极系藉由沈积一电极层于侧壁绝缘构件之上表面与侧壁绝缘构件之第二侧壁上、并等向性地蚀刻此电极层以形成此第二电极。 | ||
申请公布号 | TW200822295 | 申请公布日期 | 2008.05.16 |
申请号 | TW095141219 | 申请日期 | 2006.11.07 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;何家骅;谢光宇 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |