制作应变矽电晶体的方法以及制作应变矽互补式金氧半导体电晶体的方法

摘要

本发明系揭露一种制作应变矽电晶体的方法,该方法包含有下列步骤:首先提供一半导体基底,且该半导体基底上包含有至少一闸极结构。然后进行一蚀刻制程,以于该闸极结构相对两侧之该半导体基底中形成二凹槽,并对该半导体基底进行一氧气冲洗(O2 flush)。接着对该半导体基底进行一清洗制程,然后进行一选择性磊晶成长制程,以于该等凹槽内分别形成一磊晶层,当作源极/汲极。