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经营范围
发明名称
用于半导体制造的石英玻璃组件及其制法
摘要
本发明始于已知之用于半导体制造的石英玻璃组件,该组件至少于接近表面的区域显现第一掺杂物和第二掺杂物之共掺杂,该第二掺杂物含有一或多种浓度各为0.1-3重量%(以SiO2和掺杂物总质量计)的稀土金属。以此为始,在具有蚀刻作用的环境中,提供用于半导体制造的石英玻璃组件,此组件之特点在于高纯度和对于乾蚀的高耐受性及避免已知之因为与氧化铝共掺杂而引发的缺点,根据本发明,建议第一掺杂物应为氮且石英玻璃的介稳羟基平均含量低于30wtppm。
申请公布号
TW200821275
申请公布日期
2008.05.16
申请号
TW096134084
申请日期
2007.09.12
申请人
信越石英股份有限公司;赫里斯果斯克来斯有限两合公司 HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO.KG 德国
发明人
裘根 伟柏;佐藤龙弘;雷夫 施耐德;艾契 霍夫曼;克利司汀 吉勃尔
分类号
C03C4/00(2006.01);C30B29/18(2006.01)
主分类号
C03C4/00(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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