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经营范围
发明名称
适于制造绝缘层上覆矽结构之基材表面清洗方法
摘要
提供一种利用于绝缘层上覆矽技术中,清洁基材表面之方法。于一实施例中,此清洁基材表面之方法包含提供一第一基材与一第二基材,其中该第一基材具有一氧化矽层形成于其上,以及定义于其中之一裂面;于该第一基材与该第二基材之一表面,进行一湿式清洁制程;以及将该氧化矽层表面接合于该第二基材之该被清洁过的表面上。
申请公布号
TW200822299
申请公布日期
2008.05.16
申请号
TW096129443
申请日期
2007.08.09
申请人
应用材料股份有限公司
发明人
萨库瑞希尔PS THAKUR, RANDHIR P.S.;莫非特史帝夫;汉森波欧夫;葛汉纳耶史帝夫
分类号
H01L21/84(2006.01)
主分类号
H01L21/84(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
地址
美国
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