发明名称 适于制造绝缘层上覆矽结构之基材表面清洗方法
摘要 提供一种利用于绝缘层上覆矽技术中,清洁基材表面之方法。于一实施例中,此清洁基材表面之方法包含提供一第一基材与一第二基材,其中该第一基材具有一氧化矽层形成于其上,以及定义于其中之一裂面;于该第一基材与该第二基材之一表面,进行一湿式清洁制程;以及将该氧化矽层表面接合于该第二基材之该被清洁过的表面上。
申请公布号 TW200822299 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096129443 申请日期 2007.08.09
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 萨库瑞希尔PS THAKUR, RANDHIR P.S.;莫非特史帝夫;汉森波欧夫;葛汉纳耶史帝夫
分类号 H01L21/84(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国