| 摘要 |
本发明之光二极体阵列1,系在具有n型半导体层12之n型基板2上形成使被检测光入射之复数之光检测通道10而成者。光二极体阵列1包含:p^-型半导体层13,其形成于基板2之n型半导体层12上;电阻4,其设置于每一光检测通道10,且一端部连接于信号导线3;及n型分离部20,其形成于复数之光检测通道10之间。p^-型半导体层13系在与基板2之界面构成pn接合,且对应于光检测通道具有复数之使藉由被检测光之入射所产生之载子崩溃(avalanche)倍增之倍增区域AM。分离部20系形成为使p^-型半导体层13之各倍增区域AM对应于各光检测通道10而形成。 |
