| 摘要 |
本发明揭示一种用于背照明成像器之抗模糊结构。在一具体实施例中,该抗模糊结构系形成于一具有一背侧与一前侧之一第一导电率类型的基板中,其包含:一第二导电率类型之一通道区域,其系形成于该基板中;该第一导电率类型之一阻障区域,其系定位于该基板中而实质上覆盖该通道区域并接近该基板之该前侧;以及该第二导电率类型之一汲极区域,其系定位成实质上覆盖该阻障区域,其中当光照射于该基板之该背侧上时,该光产生收集于该通道区域中之电荷载子,当对应于该通道区域中该等所收集的电荷载子之一电位约等于对应于该阻障区域之电位时,该等电荷载子穿过该阻障区域进入该汲极区域。在一第二具体实施例中,该第二导电率类型之一汲极区域系定位成实质上延伸进入该基板之该前侧之至少一部分;该第一导电率类型之一阻障区域系定位成实质上在该汲极区域之下方及周围;而该第二导电率类型之一通道区域,其系定位成实质上在该阻障区域之下方及周围。该通道区域、该阻障区域及该汲极区域系藉由离子植入形成。 |
