使用气态卤化物及反应性共蚀刻剂之微机电系统之选择性蚀刻

摘要

一种用于以改良之选择性在结构材料存在之情况下蚀刻目标材料之方法使用气相蚀刻剂及共蚀刻剂。与一不使用共蚀刻剂之类似蚀刻制程相比,该方法之实施例展现自至少约2倍至至少约100倍之改良选择性。在一些实施例中,该目标材料包含可由该气相蚀刻剂蚀刻之金属。该方法之实施例在例如干涉调变器之MEMS装置的制造中尤其有用。在一些实施例中,该目标材料包含可由该气相蚀刻剂蚀刻之金属(例如,钼),且该结构材料包含介电质(例如,二氧化矽)。