| 摘要 |
本发明之示范性具体实施例可提供相变材料层以及形成相变材料层及使用该相变材料层之装置的方法,其方式为:在一反应室中产生一包含氦及/或氩之电浆;藉由引入含第一材料之第一来源气体在物件上形成第一材料层;藉由引入含第二材料之第二来源气体至该反应室中,在该物件上形成第一复合材料层;藉由引入含第三材料之第三来源气体,在该第一复合材料层上形成第三材料层;及藉由引入含第四材料之第四来源气体,在该第一复合材料层上形成第二复合材料层。藉由在不同馈送时间提供来源气体,在氦/氩电浆环境下用较低温度,可更容易及/或更迅速地形成示范性具体实施例之含碳相变材料层。示范性具体实施例亦包括使用相变记忆体层之记忆体装置。 |
