发明名称 半导体装置之制造方法及半导体装置
摘要 本发明系一种半导体装置之制造方法及半导体装置,其系在于提高半导体装置之良率。本发明于无引线封装型半导体装置之制造步骤中,使用对引线2b前端部进行压溃加工之压框。引线2b之半导体晶片侧之前端部,随着越接近半导体晶片越变低而倾斜。藉此,可减小引线2b前端部之压溃量,因此,可抑制或防止引线2b前端部弹出。又,使引线2b前端部倾斜,并使上述压溃量大于形成于引线2b前端部之镀敷层2e之厚度。藉此,当将镀敷层2e形成后之引线框重叠进行搬运或保管时,可降低或防止产生如下不良情况:上侧引线2b与下侧引线2b之镀敷层2e相接触,而导致于上述镀敷层2e上形成擦伤。
申请公布号 TW200822334 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096123072 申请日期 2007.06.26
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 田中茂树;长谷部一
分类号 H01L23/495(2006.01);H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L23/495(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本
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