半导体元件之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件之制造方法,该半导体元件之制造方法系使用成长用基板以制造由含有3-5族氮化物半导体之磊晶结晶所构成的半导体元件,其特征在:包含制作分离沟之步骤,该分离沟系为使该磊晶结晶被分隔成复数个区域,并从前述成长用基板剥离者。