发明名称 使用蚀刻反应器执行奈米压印模板的蚀刻
摘要 本发明系提供一种利用一经压印的(imprinted)光阻材料来蚀刻金属层的方法。在一实施例中,一种用于处理光微影倍缩光罩(photolithographic reticle)的方法包括:提供一倍缩光罩,该倍缩光罩具有形成于光学透明基板上的一金属光罩层以及沉积在金属光罩层上的一经压印之光阻材料;在第一蚀刻步骤中,蚀刻该经压印的光阻材料之凹陷区域,以暴露部分的金属光罩层;以及在第二蚀刻步骤中,透过经压印的光阻材料来蚀刻金属光罩层的暴露部分;其中第一或第二蚀刻步骤的至少其中之一者系利用由包含含氧、含卤素以及含氯气体的制程气体所形成的电浆。在一实施例中,第一和第二蚀刻步骤皆利用制程气体。在另一实施例中,第一和第二蚀刻步骤系于同一处理室中进行。
申请公布号 TW200822185 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096134570 申请日期 2007.09.14
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 仙卓须德麦哈维R CHANDRACHOOD, MADHAVI R.;库默亚杰
分类号 H01L21/027(2006.01);G03F1/06(2006.01);G03F1/08(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H05H1/00(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国