发明名称 | 利用光学量测求取双重曝光微影的位置精度 | ||
摘要 | 于利用光学量测求取双重曝光微影之位置精度时,将一遮罩曝光以形成一第1组重复图案于一晶圆上,其中,该第1组之该重复图案具有一第1间距。然后将该遮罩再次曝光,以形成一第2组重复图案在该晶圆上。该第2组重复图案之该重复图案间交错插入有该第1组重复图案之该重复图案。然后将该晶圆显影,以形成来自于该第1组重复图案之一第1组重复结构及来自于该第2组重复图案之一第2组重复结构。从来自该第1组重复结构之一第1重复结构以及从来自该第2组重复结构之一第2重复结构,量出一第1绕射信号,其中,该第1重复结构邻接于该第2重复结构。利用该第1量测得之绕射信号,求取介于该第1重复结构及该第2重复结构间之一第2间距。依据该求取之第2间距及该第1间距,求取用以形成该第2组重复图案之该遮罩的位置精度。 | ||
申请公布号 | TW200821570 | 申请公布日期 | 2008.05.16 |
申请号 | TW096125204 | 申请日期 | 2007.07.11 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 闻友贤;李世芳 |
分类号 | G01N21/47(2006.01);H01L21/68(2006.01) | 主分类号 | G01N21/47(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |