发明名称 利用光学量测求取双重曝光微影的位置精度
摘要 于利用光学量测求取双重曝光微影之位置精度时,将一遮罩曝光以形成一第1组重复图案于一晶圆上,其中,该第1组之该重复图案具有一第1间距。然后将该遮罩再次曝光,以形成一第2组重复图案在该晶圆上。该第2组重复图案之该重复图案间交错插入有该第1组重复图案之该重复图案。然后将该晶圆显影,以形成来自于该第1组重复图案之一第1组重复结构及来自于该第2组重复图案之一第2组重复结构。从来自该第1组重复结构之一第1重复结构以及从来自该第2组重复结构之一第2重复结构,量出一第1绕射信号,其中,该第1重复结构邻接于该第2重复结构。利用该第1量测得之绕射信号,求取介于该第1重复结构及该第2重复结构间之一第2间距。依据该求取之第2间距及该第1间距,求取用以形成该第2组重复图案之该遮罩的位置精度。
申请公布号 TW200821570 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096125204 申请日期 2007.07.11
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 闻友贤;李世芳
分类号 G01N21/47(2006.01);H01L21/68(2006.01) 主分类号 G01N21/47(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本