半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件,其系包含一基材;一闸极结构,位于该基板上;以及一源/汲极区,位于该基材中。其中,该源/汲极区系包含一矽层及一位于该矽层下方之玻璃层,从而可定义出浅接合深度,避免可能的短通道效应。