| 摘要 |
本发明提供一种形成一半导体装置之方法。在一基板上形成一层间介电质。在该层间介电质上形成一包括复数个第一聚合物嵌段及复数个第二聚合物嵌段之二嵌段聚合物层。将该二嵌段聚合物层划分为该等第一聚合物嵌段所结合之一第一相及该等第二聚合物嵌段所结合之一第二相。移除该第二相以使得该第一相之至少部分保留于适当位置中,其中该剩余的第一相界定一微孔之至少部分。蚀刻暴露在该微孔下面的该层间介电质以形成一开口。该开口可具有比一光微影过程能够解析之最小特征尺寸更小的一宽度。结果,可经形成以充填该开口的一电极之一线宽可减小。 |
