一种调整一动态随机存取记忆体(DRAM)更新周期之技术与具有嵌入式动态随机存取记忆体之积体电路元件

摘要

本发明系关于一种调整一动态随机存取记忆体阵列(DRAM)之一更新周期之方法,该方法系利用复数个未被决定留置时间之DRAM阵列位元,以及该等被决定留置时间之DRAM阵列位元中具有最短留置时间者,具有非常相似的特性。在本发明之一特定实施例中,该更新周期系透过利用剩余DRAM阵列位元,取代复数个未达到留置时间需求之DRAM阵列位元。该被取代之DRAM阵列位元接着被用以指示该DRAM之更新周期。该更新周期系为在当时该DRAM的操作状态下,所能达到之最大値。