超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体元件

摘要

本发明提供一种超平坦化学机械抛光技术(Super Flat Chemical Mechanical Polishing (SF-CMP))之方法,其主要为一种在一半导体之制造过程中用以取代雷射剥离(laser lift-off)之方法。SF-CMP主要步骤为在待抛光之一表面上,先植入复数个抛光停止点后再进行抛光。其特征在于该等抛光停止点之材料之硬度大于该表面之材料之硬度。此方法可在无需移除抛光停止点之情形下获得超平坦之抛光表面。