| 摘要 |
可藉由在较高之温度下沈积而提高氮化矽层的应力。采用一种能使一基板实际加热至高于400℃的设备(例如,一种陶制而非铝制的加热器),则初镀之氮化矽膜可展现出增强的应力,使位于其下的MOS电晶体元件的性能得以提升。根据其他实施例,一氮化矽沈积膜系在一高温下曝露于紫外光(UV)下以进行硬化,从而助使自膜中移除氢并增进膜应力。根据又其他实施例,一氮化矽膜在形成上,系利用一种采多个沈积/硬化循环的整合制程,以维护下方高起特征尖角处之膜层的完整。而相继膜层间的附着力,则可藉由在每一循环中纳入一紫外光硬化后之电浆处理而获得提升。 |
