| 摘要 |
因为基于相邻(或其他)电荷储存区域内所储存之电荷的电场耦合,可能会发生在一非挥发性记忆体单元内的一电荷储存区域(例如一浮动闸极)所储存之表观电荷偏移。尽管并非全部如此,但在一选定记忆体单元之后程式化相邻记忆体单元之情形中,该等效应极为突出。为了解决表观电荷偏移,在基于其他字线之储存元件所储存之电荷来读取一选定字线之储存元件时施加一或多个补偿。藉由反向读取记忆体单元之区块(或其部分)来提供具效率补偿技术。藉由在相反程式化方向上进行读取,在相邻字线之实际读取操作期间决定在读取一选定单元时施加一适当补偿(或选择其结果)所需之资讯,而非专门使用一读取操作来决定该资讯。 |
