对快闪记忆体装置设定编程启始偏压之方法与编程快闪记忆体装置之方法

摘要

提供一种对快闪记忆体装置设定编程启始偏压以执行编程操作之方法。首先,此方法使用一第一编程电压执行预编程以改变选择电晶体之门槛电压分布,并侦测该改变的门槛电压分布之最大门槛电压准位。此方法接着计算该侦测之最大门槛电压准位与目标最大门槛电压准位之间的差异,并设定一启始偏压至藉由将该计算之差异加上第一编程电压所得到之电压。