| 摘要 |
提供可以得到晶轴方向为【【110】】之矽晶圆,而且可充份除去错位之低电阻率之矽单晶之制造方法、及利用以该方法所得到之矽单晶制造晶轴方向为【【110】】之低电阻矽晶圆之制造方法。系利用CZ法之矽单晶之制造方法,藉由将中心辅相对于【【110】】晶轴呈0.6-10倾斜且与形成于利用前述矽熔化液育成之单晶之颈部之硼浓度为大致相同浓度之矽种晶,浸渍于使当做掺杂剂进行添加之硼成为6.2510^17-2.510^20atoms/㎝^3之浓度之矽熔化液,来育成中心轴相对于【【110】】晶轴呈0.6-10倾斜之矽单晶。 |
