发明名称 PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN COMPONENTE DE SEMICONDUCTORES CON UNA CAPA PIEZO O PIROELECTRICA.
摘要 Procedimiento para la producción de un componente de semiconductores con una secuencia de capas para la conversión de señales acústicas o térmicas y de modificaciones de la tensión eléctrica las unas en las otras, en el que como partes de la secuencia de capas se genera al menos un electrodo inferior (U), encima una capa (S) que es piezoeléctrica o piroeléctrica, y encima un electrodo superior (O), caracterizado porque el electrodo inferior (U) es generado depositando un material conductor y puliéndolo a continuación con medios químico - mecánicos para el alisamiento de rugosidades de la superficie.
申请公布号 ES2298254(T3) 申请公布日期 2008.05.16
申请号 ES20010967197T 申请日期 2001.07.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 AIGNER, ROBERT;ELBRECHT, LUEDER;HERZOG, THOMAS, RAINER;MARKSTEINER, STEPHAN;NESSLER, WINFRIED
分类号 H01L37/02;H01L41/22;H01L41/24;H01L41/319;H03H3/02 主分类号 H01L37/02
代理机构 代理人
主权项
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