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Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterstruktur und eine entsprechende Halbleiterstruktur. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bilden einer Peripherie-Schaltungsanordnung in einem Peripherieelementebereich (PB), wobei die Peripherie-Schaltungsanordnung einen Peripherie-Transistor aufweist, der zumindest teilweise in dem Halbleitersubstrat 1 gebildet ist, und ein erstes Dielektrikum (GO), gebildet in einem ersten Hochtemperatur-Prozessschritt, umfasst; Bilden einer Mehrzahl von Speicherzellen in einem Speicherzellenbereich (ZFB), wobei jede der Speicherzellen einen Zugriffstransistor umfasst, der zumindest teilweise in dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist und der ein zweites Gate-Dielektrikum (GO') umfasst, das in einem zweiten Hochtemperatur-Prozessschritt gebildet ist und der einen metallischen Gate-Leiter (35) aufweist; wobei der erste und zweite Hochtemperatur-Prozessschritt vor einem Schritt des Bildens des metallischen Gate-Leiters (35) durchgeführt werden.
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