Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstifts und eines Halbleiterbauelementes

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstifts und eines entsprechenden Halbleiterbauelementes, bei dem auf eine leitfähige Schicht ein dielektrischer Zwischenfilm, wie eine Siliciumoxidschicht, aufgebracht und zur Bildung eines Kontaktlochs selektiv geätzt wird, das mit Polysilicium gefüllt wird, welches dann zurückgeätzt wird. Erfindungsgemäß erfolgt das Zurückätzen mit einem Ätzgasgemisch, das SF₆, CHF₃ und CF₄ enthält, und/oder wird der dielektrische Zwischenfilm nach dem Zurückätzen des Polysiliciums bis zu einer vorgegebenen Dicke abgetragen, so dass der Kontaktstift vorsteht. Verwendung z. B. bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen mit Durchkontakten.