发明名称 长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法
摘要 一种长波长垂直腔面发射激光器的结构,包括:一N型GaAs衬底;多个周期的下布拉格反射镜,该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上;一有源区与多个周期的下布拉格反射镜联结;多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置;一SiO<SUB>2</SUB>掩膜沉积在多个周期的下布拉格反射镜的上面、有源区的部分上部和侧壁以及上布拉格反射镜的部分上部和侧壁;一P电极制作在有源区的SiO<SUB>2</SUB>掩膜上和暴露的有源区表面;一N电极,该N电极制作在衬底的下面。
申请公布号 CN101179177A 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200610114406.8 申请日期 2006.11.09
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 何国荣;渠红伟;郑婉华;杨国华;宋国锋;陈良惠
分类号 H01S5/183(2006.01);H01S5/125(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1.一种长波长垂直腔面发射激光器的结构,其特征在于,该结构包括:一衬底,该衬底为N型GaAs衬底;多个周期的下布拉格反射镜,该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上,该多个周期的下布拉格反射镜用于反射激光腔内的光来形成激光振荡;一有源区,该有源区通过键合方式与多个周期的下布拉格反射镜联结,用来形成光增益;多个周期的上布拉格反射镜,该多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置,同时形成出光窗口,并用于反射激光腔内的光来形成激光振荡;-SiO2掩膜,沉积在多个周期的下布拉格反射镜的上面、有源区的部分上部和侧壁以及上布拉格反射镜的部分上部和侧壁,起到形成出光窗口和防止短路的作用;一P电极,该P电极制作在有源区的SiO2掩膜上和暴露的有源区表面,形成内腔接触,用于电流注入;一N电极,该N电极制作在衬底的下面。
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