| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第一栅极介电层；在第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在第一栅极电极及第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中垂直部分位于第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁，水平部分位于半导体基底上；以及在第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中第二栅极间隙壁位于氮化多晶硅再氧化层的水平部分上。 | ||
| 申请公布号 | CN101179076A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710102168.3 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林孟竖;李达元;陈启群;陈世昌 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在该半导体基底上形成第一栅极介电层；在该第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在该第一栅极电极及该第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在该半导体基底上形成第二栅极介电层；在该第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中该垂直部分位于该第二栅极电极及该第二栅极介电层的侧壁，该水平部分位于该半导体基底上；以及在该第二栅极电极及该第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中该第二栅极间隙壁位于该氮化多晶硅再氧化层的该水平部分上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||