| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 为了提供能够降低制造成本的半导体装置制造方法以及具有缩短的制造时间和提高的成品率的半导体装置制造方法，提供了一种半导体装置制造方法，其包括的步骤有：在衬底上形成含有金属的第一层，在所述第一层上形成含有无机材料的第二层，在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层，采用激光照射所述第一层、第二层和第三层，以形成至少穿过所述第二层和第三层的开口部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101180705A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200680017455.8 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山田大干;道前芳隆 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/336(2006.01);G06K19/07(2006.01);H01L27/12(2006.01);G06K19/077(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：在衬底上形成含有金属的第一层；在所述第一层上形成含有无机材料的第二层；在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层；采用激光照射所述第一层、第二层和第三层，以形成至少穿过所述第二层和第三层的开口部分；以及至少将所述第三层与所述衬底分离。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||