| 发明名称 | 超小粒径多晶硅的结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体结构(和最终结构)的方法，包括在含硅层和多晶硅层之间设置氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN100388421C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200410090133.9 | 申请日期 | 2004.11.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 约臣·贝恩特纳;杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括：在栅极电介质上形成厚度为10nm到20nm的含硅层；在含硅层上形成氮化物阻挡层；其中，在形成氮化物阻挡层的过程中，在550℃至750℃的温度范围内的一个温度下通过形成所述氮化物阻挡层调整所述含硅层，使其具有并保持在10nm至20nm的范围内的粒径。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||