| 发明名称 | InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法 | ||
| 摘要 | InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。 | ||
| 申请公布号 | CN101179015A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710191199.0 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 谢自力;张荣;韩平;王荣华;刘斌;修向前;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1.InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜的制备方法，其特征是利用InN材料做衬底或先在其它衬底上生长的InN材料作缓冲层或支撑层材料，并在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜，以金属有机源，金属源或其它半导体材料为生长源，生长过程中通入一定流量的N2气或H2气作为载气。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||