发明名称 | 半导体缺陷侦测方法与系统 | ||
摘要 | 一种半导体缺陷侦测方法,其适用于一半导体工艺的晶片测试。执行一缺陷测试并取得其冗余信息。执行一异常测试并取得一第一不良位映像。将该冗余信息转换成为一第二不良位映像,然后比对该第一与第二不良位映像以产生一第三不良位映像。 | ||
申请公布号 | CN100388453C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
申请号 | CN200510065593.0 | 申请日期 | 2005.04.18 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张延生;刘东昱 |
分类号 | H01L21/66(2006.01);G01N21/88(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种半导体缺陷侦测系统,其用以对一半导体元件执行异常分析,其包括:一异常测试单元,用以对该半导体元件执行一异常测试并产生一第一不良位映像;一转换单元,用以将一缺陷测试所产生的一冗余信息转换为一第二不良位映像;以及一比对单元,用以比对该第一不良位映像与第二不良位映像以产生一第三不良位映像。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |