| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能够精确检测解理位置的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。在与第一基板面对的第二基板的侧上形成的绝缘层上，第二发光器件具有分别与第一发光器件的各p侧电极相对布置且电连接到第一发光器件的p侧电极的带状对向电极、分别电连接到各对向电极的连接垫、电连接到p侧电极的连接垫、和布置有位于解理面S3或解理面S4的平面内的一个端部的标记。 | ||
| 申请公布号 | CN101179179A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710186339.5 | 申请日期 | 2007.11.12 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 古嶋裕司;今野哲也;藤本强 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01);H01L27/15(2006.01) | 主分类号 | H01S5/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件，包括：包括有源层的半导体层；和具有布置在解理面中的端部的第一标记。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||