| 发明名称 | 半导体装置中的散热系统及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种于半导体装置中散热的方法及系统。于一实施例中，一种集成电路半导体装置包含一半导体衬底；一个或多个连接于该半导体衬底的冶金层，其中该一个或多个冶金层中的每一个具有：一条或多条导线及在该一条或多条导线间的一个或多个仿结构，并且一个或多个仿结构中的至少二者经连接；以及一个或多个介电层，位于该一个或多个冶金层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100388494C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200510055825.4 | 申请日期 | 2005.03.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈宪伟;叶俊麟;郑心圃;郑义荣 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种集成电路半导体装置，其包含：一半导体衬底；一个或多个连接于该半导体衬底的冶金层，其中该一个或多个冶金层中的每一个具有一条或多条导线，且在该一条或多条导线间具有一个或多个仿结构，其中来自不同冶金层的该一个或多个仿结构中的至少二者经热连接；以及一个或多个介电层，位于该一个或多个冶金层之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||