| 发明名称 | 隐埋数位线堆积及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造隐埋数位线堆积的方法。该方法包括在多晶硅突起(224)上形成贫硅金属硅化物第一薄膜(226)，随后形成硅化物阻挡第二薄膜(228)。该硅化物阻挡第二薄膜被难熔金属第三薄膜(232)所覆盖。经过一个自对准金属硅化加工步骤，第一薄膜自对准于多晶硅突起。在一个具体实施方案中，所有的上述沉积过程均通过物理汽相沉积(PVD)完成。 | ||
| 申请公布号 | CN100388479C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN03818757.4 | 申请日期 | 2003.06.04 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | Y·J·胡 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种方法，其包括：通过物理汽相沉积在导电突起上形成难熔金属硅化物第一薄膜；在所述难熔金属硅化物第一薄膜上形成难熔金属氮硅化物第二薄膜；以及通过物理汽相沉积在所述难熔金属氮硅化物第二薄膜上形成难熔金属第三薄膜。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||