| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。首先于基板上形成栅极。接着，形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的部分栅绝缘层上形成一层沟道层。之后，于沟道层上形成源极及漏极。栅极的形成方法可以是依序形成含氮铜合金层及铜层，并移除部分含氮铜合金层及铜层。源极及漏极的形成方法也可以采用这种形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101179029A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200610148440.7 | 申请日期 | 2006.11.09 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 赖钦诠;邱羡坤;林宜平;杨淑贞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/43(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：依序形成一第一含氮铜合金层及一第一铜层于一基板上；移除部分该第一含氮铜合金层及该第一铜层，以形成一栅极于该基板上；形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极；形成一沟道层于该栅极上方的部分该栅绝缘层上；形成一源极及一漏极于该沟道层上，其中该源极及该漏极的形成方法包括：于该基板上方依序形成一第二含氮铜合金层及一第二铜层；以及移除部分该第二含氮铜合金层及该第二铜层。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市中山北路三段二十二号 | ||