| 发明名称 | 研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种研磨液，该研磨液在半导体器件的化学机械平坦化方法中主要用于阻挡金属材料的研磨，所述化学机械平坦化方法中，将研磨液供给于研磨盘上的研磨垫，并且通过使该研磨垫与晶片的被研磨面接触并相对运动而进行研磨，该研磨液含有：(a)具有羧基和含有氧的烃部分结构的羧酸化合物、(b)胶态二氧化硅粒子、和(c)杂环化合物，所述研磨液的pH在2.5－4.5的范围。根据本发明可以提供在利用化学机械研磨的被研磨面的平坦化工序中能够以充分的研磨速度进行研磨、可以有效地抑制侵蚀的适于研磨半导体器件的阻挡金属材料的研磨液。 | ||
| 申请公布号 | CN101177602A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710165886.5 | 申请日期 | 2007.11.07 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 上村哲也;斋江俊之;稻叶正 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种研磨液，该研磨液在半导体器件的化学机械平坦化方法中主要用于阻挡金属材料的研磨，所述化学机械平坦化方法中，将研磨液供给于研磨盘上的研磨垫，通过使该研磨垫与晶片的被研磨面接触并相对运动而进行研磨，该研磨液含有：(a)具有羧基和含有氧的烃部分结构的羧酸化合物、(b)胶态二氧化硅粒子、和(c)杂环化合物，所述研磨液的pH在2.5-4.5的范围内。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||