| 发明名称 | 一种半导体激光器腔面钝化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；前腔面(4)进行离子预清洗30秒到6分钟；用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；前腔面(4)镀增透膜(1)；夹具翻面对后腔面(5)进行上述离子预清洗30秒到6分钟；电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS；在后腔面(5)镀高反膜(2)。本发明钝化膜性能稳定，提高了可靠性，方法简单，适用于不同波长或结构的激光器。 | ||
| 申请公布号 | CN100388573C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200510067963.4 | 申请日期 | 2005.04.30 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 徐晨;沈光地;舒雄文;田增霞;陈建新;高国 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);C23C28/00(2006.01);C23C14/24(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)半导体激光器在空气中解理成条后，装入镀膜专用夹具，然后放入电子束蒸发真空室；2)离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；在半导体激光器前腔面(4)进行所述的离子预清洗30秒到6分钟；3)用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)，防止腔面镜介质的氧对腔面的扩散；4)根据现有技术在前腔面(4)镀增透膜(1)；5)夹具翻面后对半导体激光器后腔面(5)进行上述步骤2)所述的离子预清洗30秒到6分钟；6)用电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；7)根据现有技术在后腔面(5)镀高反膜(2)。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||