| 发明名称 | 生产震动微机械结构的方法 | ||
| 摘要 | 使用双晶片过程制造单晶硅微机械谐振器的方法，包括绝缘体上硅(SOI)(104)或绝缘基础晶片和谐振器晶片(108)，其中谐振器锚(122，124)、电容气隙(116)、隔离沟(128，130)和校准标记被微机械加工于基础晶片的活性层(114)中；谐振器晶片(124)的活性层直接结合至基础晶片的活性层；除去谐振器晶片的柄层(144)和电介质层(140)；观察窗开口于谐振器晶片的活性层中；使用光致抗蚀剂材料掩蔽谐振器晶片的单晶硅半导体材料活性层；使用硅干燥蚀刻微机械加工技术在谐振器晶片的活性层中机械加工单晶硅谐振器；且随后干燥剥离光致抗蚀剂材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101180794A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200680017224.7 | 申请日期 | 2006.03.09 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | I·H·贾夫里;G·P·马根丹茨;J·L·克莱因 |
| 分类号 | H03H9/24(2006.01);H03H3/007(2006.01);B81B3/00(2006.01);B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | H03H9/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘冬;段家荣 |
| 主权项 | 1.一种形成震动梁微机械结构(100)的方法，该方法特征为：在基础基底物(104)中形成邻近电容气隙(116)的一个或多个谐振器锚(122，124)；将绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)结合至所述基础基底物(104)的谐振器锚(122，124)，所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)在半导体材料柄层(144)和半导体材料活性层(142)之间具有电介质层(140)；除去所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的柄层和电介质层(144，140)；和在所述绝缘体上硅谐振器晶片(108)的单晶硅半导体材料活性层(142)中硅干燥蚀刻机械加工单晶硅谐振器(106)。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||