| 发明名称 | 半导体器件和存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件和存储器。本发明的半导体器件包括第一降压电路，用于生成低于外部提供的电源电压的第一下降电压；以及第二降压电路，用于生成低于所述第一下降电压的第二下降电压。所述第一降压电路的耐受电压不低于所述电源电压，并且所述第二降压电路的耐受电压不低于所述第一下降电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101178928A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710165894.X | 申请日期 | 2007.11.07 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 广部厚纪 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01);G11C11/4091(2006.01) | 主分类号 | G11C7/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一降压电路，用于生成低于电源电压的第一下降电压；以及第二降压电路，用于生成低于所述第一下降电压的第二下降电压，其中所述第一降压电路的耐受电压等于或高于所述电源电压，其中所述第二降压电路的耐受电压等于或高于所述第一下降电压。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||