形成小型紧密间隔特征阵列的方法

摘要

本发明揭示形成供集成电路中使用的小型密集间隔的孔或柱阵列的方法。可结合间距减小技术及使用各种图案转移和蚀刻步骤来产生密集堆积的特征。可结合间距减小技术及使用常规光刻步骤来形成可合并成单个层的交叉伸长特征的叠加的、间距减小的图案。

主权项

1.一种在阵列中形成特征的方法，其包括：减小一列第一光可界定线的间距以形成列图案；以及减小一行第二光可界定线的间距以形成行图案，所述行图案与所述列图案交叉，所述行图案具有行线和行间隔，所述行线遮掩所述下伏列图案的未暴露部分，且所述行间隔留下所述下伏列图案的暴露部分，所述交叉的列与行图案包括具有第三图案的组合掩模。