| 发明名称 | 半导体功率模块及其散热方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体功率模块及其散热方法，属于半导体模块制造领域。包括底板、覆金属陶瓷基板、半导体芯片、导电连接件、电极以及壳体，覆金属陶瓷基板连接在底板上，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板或底板上，导电连接件连接半导体芯片和覆金属陶瓷基板，电极与导电连接件或与覆金属陶瓷基板连接，壳体连接在底板上，底板由铜基层和固相复合在铜基层下部的铝基层构成，且铝基层厚度是铜基层厚度的0.5倍以上，在半导体芯片工作中的热量通过底板上部的铜基层快速吸收，再通过固相复合在铜基层下部的铝基层迅速散热。本发明的底板为铜铝复合一体化，能提高半导体模块工作容量，具有节材、体积小、重量轻、成本低的特点，具有极高推广价值。 | ||
| 申请公布号 | CN101179055A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710191646.2 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 江苏宏微科技有限公司 | 发明人 | 王晓宝;赵善麒;刘利峰 |
| 分类号 | H01L23/36(2006.01);H01L23/367(2006.01);H01L23/373(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/13(2006.01);H01L23/14(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L23/36(2006.01) |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 | 代理人 | 贾海芬 |
| 主权项 | 1.一种半导体功率模块，包括底板(1)、覆金属陶瓷基板(5)、半导体芯片(3)、导电连接件(4)、电极(6)以及壳体(2)，覆金属陶瓷基板(5)连接在底板(1)上，半导体芯片(3)连接在覆金属陶瓷基板(5)或底板(1)上，导电连接件(4)连接半导体芯片(3)和覆金属陶瓷基板(5)，电极(6)与导电连接件(4)或与覆金属陶瓷基板(5)连接，壳体(2)连接在底板(1)上，其特征在于：所述的底板(1)由铜基层(11)和固相复合在铜基层(11)下部的铝基层(12)构成，且铝基层厚度是铜基层厚度的0.5倍以上。 | ||
| 地址 | 213022江苏省常州市华山中路18号 | ||