发明名称 |
GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件 |
摘要 |
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板,在氨气气氛中进行氮化处理,形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上,生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板,通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板,还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。 |
申请公布号 |
CN101180420A |
申请公布日期 |
2008.05.14 |
申请号 |
CN200680010759.1 |
申请日期 |
2006.03.31 |
申请人 |
东北技术使者株式会社 |
发明人 |
八百隆文;曹明焕 |
分类号 |
C30B29/38(2006.01);C23C16/34(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
1.一种GaN单晶生长方法,其特征在于,该方法具有:生长过程,在基板上生长金属缓冲层;氮化过程,将该金属缓冲层的表面或该金属缓冲层整体氮化,制备金属氮化物层;GaN缓冲层生长过程,在该金属氮化物层上生长GaN缓冲层;GaN层生长过程,在该GaN缓冲层上生长单晶GaN层;所述金属缓冲层为Cr、Cu。 |
地址 |
日本宫城县 |