发明名称 控制输出阻抗和转换速率的半导体集成电路
摘要 本发明提供一种半导体集成电路装置,其能够相互独立设定阻抗调整和转换速率调整,简化调整电路的构成。使用将输出电路形成并联形式的多个输出MOSFET,通过第一控制部件选择上述多个输出MOSFET中导通状态的个数,进行输出阻抗的调整,通过第二控制部件来进行成为上述导通状态的上述输出MOSFET的驱动信号的调整,由此进行转换速率的调整。
申请公布号 CN100388492C 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200410035004.X 申请日期 2004.04.23
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 林厚宏;根岸刚己;丰岛博
分类号 H01L27/04(2006.01);H03K19/0175(2006.01);H03F1/56(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,包括:具有并联形式的多个输出MOSFET的输出电路;第一控制部件,选择上述多个输出MOSFET中成为导通状态的个数,进行输出阻抗的调整;第二控制部件,通过调整上述成为导通状态的上述输出MOSFET的驱动信号,进行转换速率的调整,其中,上述第一控制部件和上述第二控制部件能够彼此独立地进行工作;上述连接成并联形式的输出MOSFET分成多个组,上述多个组的输出MOSFET的每个分成多个小组,上述第一控制部件形成上述多个组的选择信号,上述第二控制部件进行上述多个小组的输出MOSFET的驱动定时调整,对应于应该输出的数据,通过上述第一控制部件选择的1个组或多个组构成的多个输出MOSFET与通过上述第二控制部件形成的驱动定时相对应地成为导通状态;还包括与上述多个输出MOSFET的每一个对应设置的、用于驱动各输出MOSFET的输出预缓冲器,上述输出预缓冲器由上述应该输出的数据和第一控制部件形成的选择信号来活性化,根据上述第二控制部件形成的控制信号传送到上述输出MOSFET中的驱动信号的上升时间相互变化;在各上述输出MOSFET中,电阻元件连接成串联形式;上述输出MOSFET包括:形成具有与电源电压侧对应的电平的输出信号的第一导电型的第一MOSFET;形成具有与电路的接地电位侧对应的电平的输出信号的第二导电型的第二MOSFET,上述第一MOSFET和第二MOSFET的每一个中都设置有上述输出预缓冲器。上述第一MOSFET和第二MOSFET以及电阻元件被布局为可由直线状的一条布线进行连接的基本构成,多个由上述第一MOSFET和第二MOSFET以及电阻元件构成的基本构成,在与上述布线正交的方向上平行排列多个以构成条状;在多个上述平行配置的基本构成的布局中,阻抗小的条单位中MOSFET的尺寸在上述布线的延长方向上形成较大且电阻尺寸在上述布线的延长方向上形成较小,阻抗大的条单位中MOSFET的尺寸在上述布线的延长方向上形成较小且电阻尺寸在上述布线的延长方向上形成较大,上述多个基本构成的条单位的长度差小。
地址 日本东京都