| 发明名称 | 制作双扩散漏极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种制作双扩散漏极的方法。本发明利用单一种类掺质而非传统的两种掺质来形成双扩散漏极。首先进行一次轻掺杂离子布植过程。接着执行一第一热过程以驱入(Drive In)掺质。再者执行一重掺杂离子布植过程。最后进行一第二热过程以形成双扩散漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN100388441C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN01142963.1 | 申请日期 | 2001.12.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘慕义;范左鸿;叶彦宏;詹光阳;卢道政 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种制作双扩散漏极的方法，该方法至少包含下列步骤：提供一底材，该底材具有一栅极于其上；进行一第一离子布植过程于该底材上；进行一第一热过程；进行一第二离子布植过程，其中该第一离子布植过程与该第二离子布植过程的掺质相同，且该第二离子布植过程的掺质剂量高于该第一离子布植过程的掺质剂量；以及进行一第二热过程以形成一双扩散漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||