| 发明名称 | 掺铈掺铕铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种掺铈掺铕铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法，其特征在于该荧光屏的结构式是Lu<SUB>1-x-y</SUB>Ce<SUB>y</SUB>Eu<SUB>x</SUB>AlO<SUB>3</SUB>/Lu<SUB>z</SUB>Y<SUB>1-z</SUB>AlO<SUB>3</SUB>，(0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(100)或(001)的Lu<SUB>z</SUB>Y<SUB>1-z</SUB>AlO<SUB>3</SUB>，(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶，在电阻加热液相外延炉中，在Lu<SUB>1-x-y</SUB>Ce<SUB>y</SUB>Eu<SUB>x</SUB>AlO<SUB>3</SUB>单晶的结晶温度下，与含有Lu<SUB>1-x-y</SUB>Ce<SUB>y</SUB>Eu<SUB>x</SUB>AlO<SUB>3</SUB>多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu<SUB>1-x-y</SUB>Ce<SUB>y</SUB>Eu<SUB>x</SUB>AlO<SUB>3</SUB>单晶薄膜而构成。本发明的荧光屏应具有单晶薄膜质量高、光学性质好、X射线吸收系数高和分辨率高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN100388405C | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200410016476.0 | 申请日期 | 2004.02.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵广军;庞辉勇;徐军;夏长泰;何晓明;介明印;周圣明 |
| 分类号 | H01J1/63(2006.01);C09K11/77(2006.01);H01J9/20(2006.01) | 主分类号 | H01J1/63(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1.一种掺铈掺铕铝酸镥钇亚微米成像荧光屏，其特征在于该荧光屏的结构式是Lu1-x-yCeyEuxAlO3/LuzY1-zAlO3，(0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏是晶面方向为(100)或(010)的LuzY1-z AlO3的衬底单晶片上生长的一层Lu1-x-yCeyEuxAlO3闪烁单晶薄膜构成的复合闪烁探测材料。 | ||
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