一种低温制备立方碳化硅纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种低温制备立方碳化硅纳米线的方法，是将硅粉、四氯乙烯、金属钠和升华硫按摩尔比0.5－4∶1∶2－8∶0.5－2混和，密封在高压釜中，120℃～260℃、5MPa～18MPa条件下反应10小时～55小时或于260℃～600℃时、7MPa～18MPa条件下、保持其它原料配比不变，在不加入硫粉的情况下反应10小时～55小时，产物经醇洗、酸洗或灼烧然后酸洗、水洗至pH中性，常规离心分离、干燥，即获得立方碳化硅纳米线。本发明方法与现有技术相比，反应温度低、原料廉价易得、反应简单、产物形貌和尺寸易控、易于加强陶瓷的韧性，且易于实现工业化生产。

主权项

1.一种低温制备立方碳化硅纳米线的方法，其特征在于：将硅粉、四氯乙烯、金属钠和升华硫按摩尔比0.5-4∶1∶2-8∶0.5-2混合，密封在高压釜中，于120℃～260℃、5MPa～18MPa条件下反应10小时～55小时；产物经醇洗、酸洗或灼烧然后酸洗、水洗至pH中性，常规离心分离、干燥，即获得立方碳化硅纳米线；或者，将硅粉、四氯乙烯、金属钠按摩尔比0.5-4∶1∶2-8混合，密封在高压釜中，于260℃～600℃时、7MPa～18MPa条件下反应10小时～55小时；产物经醇洗、酸洗或灼烧然后酸洗、水洗至pH中性，常规离心分离、干燥，即获得立方碳化硅纳米线。