发明名称 限流电阻
摘要 本发明公开了一种限流电阻,适用于静电放电(ESD)装置,该限流电阻包括:至少一个第一主动区,形成静电放电(ESD)晶体管的源极/漏极;以及至少一个具有螺旋形状的阻抗元件,形成于半导体结构的单层中;其中,该阻抗元件具有第一端耦接该第一主动区,及第二端耦接包含电源(Vdd或Vss)端的焊盘。本发明能够确保通过增加源极/漏极区的限流电组可以均匀导通,且不会造成氧化长度(LOD)效应。
申请公布号 CN101179070A 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200710136891.3 申请日期 2007.07.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈克明
分类号 H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈晨
主权项 1.一种限流电阻,适用于静电放电装置,该限流电阻包括:至少一个第一主动区,形成静电放电晶体管的源极/漏极;及至少一个具有螺旋形状的阻抗元件,形成于半导体结构的单层中;其中,该阻抗元件具有第一端耦接该第一主动区,及第二端耦接焊盘。
地址 中国台湾新竹市