| 发明名称 | V型沟道结构闪存 | ||
| 摘要 | 一种V型沟道结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成V形沟道槽，存储电荷的沟道浮栅位于所述的V形沟道槽内。本V型结构闪存可通过调节沟道槽深度来控制短沟道效应导致的导通。 | ||
| 申请公布号 | CN101179078A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710170742.9 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张博 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/423(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01);G11C16/26(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种V型沟道结构闪存，包括衬底、形成与衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，其特征在于，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成V形沟道槽，存储电荷的沟道浮栅位于所述的V形沟道槽内。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||